AMAT, 7조원 규모 반도체 R&D 센터 설립…삼성전자 개국공신 된다

美실리콘밸리에 반도체 공동 연구개발 센터
삼성전자 첫 펀딩 멤버 참여

삼성전자가 미국 실리콘밸리에 조성되고 있는 어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)의 반도체 공동 연구개발(R&D) 센터에 창립 멤버로 나선다.

박광선 AMAT 코리아 대표는 12일 서울 강남 조선 팰리스에서 열린 기자간담회에서 "삼성이 미국 실리콘밸리 에픽 센터의 펀딩 멤버로 처음 참여하게 됐다"며 "새로운 에코시스템에 동참해 기술 개발 협력을 가속할 것"이라고 밝혔다.

박광선 어플라이드 머티어리얼즈 코리아 대표가 12일 서울 강남 조선 팰리스에서 열린 기자간담회에서 발표를 진행하고 있다. 어플라이드 머티어리얼즈 코리아

'에픽(EPIC) 센터'는 50억달러(약 7조원) 규모로 조성 중인 첨단 반도체 공정 기술 및 제조 장비 공동 R&D 시설로, 올해 개관을 앞두고 있다. 이는 미국 내 첨단 반도체 장비 R&D 분야에서 역대 최대 규모의 투자다.

AMAT은 11일(현지시간) 자사 IR 홈페이지를 통해 "EPIC 센터의 공동 연구개발 프로그램은 현재 세대보다 여러 노드 앞선 칩을 위한 신소재 및 공정 기술을 목표로 한다"며 "첨단 논리 및 메모리 칩 전반에 걸쳐 차세대 디바이스를 구현하기 위한 원자 단위의 첨단 패턴 형성, 식각, 증착 공정을 혁신할 것"이라고 설명했다.

전영현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장은 "삼성과 AMAT은 선도적인 반도체 장비 기술 발전을 위해 오랜 파트너십을 지속해서 구축해 나가고 있다"며 "새로운 에픽 센터에서 양사 간 기술 협력을 더욱 심화해 나갈 것을 기대한다"고 말했다.

AMAT은 한국에도 R&D 센터를 설립한다. 현재 경기도 오산시에 지어지고 있는 'AMAT 코리아 컬래버레이션 센터'를 거점으로 엔지니어, 학계, 협력사 등 생태계 협업을 강화해 지역 인재를 양성하겠다는 전략이다.

연합뉴스

AMAT 코리아는 이날 간담회에서 2나노 이하 공정의 최첨단 로직 칩 성능을 높일 수 있는 새로운 트랜지스터 및 배선 혁신 기술도 공개했다. 트랜지스터라는 가장 기본적인 전자 소자를 원자 단위에서 개선함으로써 AI 컴퓨팅 성능을 획기적으로 강화한다는 구상이다.

먼저 AMAT의 새 라디칼 처리 시스템인 '프로듀서 비바'는 반도체의 통로인 나노시트 표면을 원자 단위로 아주 매끄럽게 다듬어서 전자가 잘 흐르게 만든다. AMAT이 고안한 최신 식각(에칭) 장비 모델 '심3 Z 매그넘'은 아주 깊고 좁은 구멍(트렌치)을 수직으로 똑바르게 파내 칩이 오류 없이 빠르게 작동하도록 돕는다. 마지막으로 '센트리스 스펙트럴'은 몰리브덴이라는 신소재를 원자층 두께로 아주 얇고 균일하게 입히는(증착) 장비로, 기존에 쓰던 텅스텐보다 연결 부위의 저항을 낮추고 에너지 효율을 높이는 데 집중했다.

프라부 라자 AMAT 반도체 제품 그룹(SPG) 사장은 "AI의 빠른 발전은 컴퓨팅 성능을 한계까지 끌어올리고, 컴퓨팅 혁신은 트랜지스터에서 시작된다"며 "옹스트롬 시대에 발맞춰 이번에 발표한 시스템들은 주요 트랜지스터 및 배선 분야의 주요 혁신을 주도해 온 어플라이드의 오랜 리더십을 확장하는 동시에 고객들이 AI의 발전 속도에 맞춰 로드맵을 가속할 수 있도록 도울 것"이라고 강조했다.

김진영 기자 camp@asiae.co.kr