다음달 공사 착공, 2028년 양산 목표
美 압박 영향 1.4나노 건설 가속화
인텔, 삼성 가세 1.4나노 '3파전' 전망
대만 타이중에 신설되는 TSMC 공장이 기존에 계획했던 2㎚ 공정을 1.4㎚ 공정으로 변경한다. 인공지능(AI) 반도체 수요가 증대되면서 모바일·고성능컴퓨팅(HPC) 중심의 공정에서 AI 반도체 생산을 위한 첨단 공정으로 본격 전환하려는 것으로 풀이된다.
3일 대만 이코노믹데일리뉴스 등 현지 언론은 TSMC가 대만 타이중에 위치한 중부대만과학단지 내 신규 공장에 대해 당초 계획했던 2㎚ 공정을 1.4㎚ 공정으로 변경하기로 확정했다고 밝혔다. 중부대만과학단지 관리국은 TSMC가 지난달 17일 착공 신고서를 제출했으며, 29일 관리국에 대한 임대 부지 관련 보고에서 이 같은 변경 사항을 확인했다고 밝혔다. 첫 번째 기초 지반 강화 공사는 다음 달 5일 착수되며, 2028년 하반기 양산을 목표로 한다.
관리국에 따르면 TSMC는 이미 팹(웨이퍼 생산 공장)을 포함한 1기 3개 건축 허가를 공식 발급받았으며 공장 부지 내 수방 시설 등 공공 공사가 완료돼 TSMC 측에 인계됐다. TSMC는 이미 착공 전 기원 행사를 마쳤으며, 다음 달 5일 기초 공사 인력이 현장에 투입될 예정이다.
당초 기술 포럼에서 TSMC는 1.4㎚ 공정의 주요 생산 거점으로 중부과학단지 내 옛 야구장 부지에 건설되는 'F25 공장'을 지목했다. 이 부지에 4개 동의 공장을 설립할 계획이며, 첫 번째 공장은 2027년 말 시범 생산을 완료하고 2028년 하반기 양산에 돌입할 예정이다. 신규 공장의 초기 예상 매출액은 5000억대만달러(약 25조원)를 초과할 것으로 추정된다.
업계 관계자들에 따르면 1.4㎚ 공정의 양산 압박이 매우 높은 상황이다. 이는 미국이 지정학적 위험 분산 차원에서 2㎚ 공정에 대한 조기 수요를 강력히 요청하고 있기 때문이다. 특히 대만 경제부 투자심의위원회의 해외 반도체 투자 관련 'N-1 규정'에 따라, 대만 내에서 가장 선진적인 공정이 양산된 후에야 미국 공장이 다음 세대 공정을 시작할 수 있다.
이 때문에 미국은 TSMC 측에 미국 공장의 2㎚ 및 1.6㎚ 공정 양산 시점을 2027년으로 앞당길 것을 요구하고 있는 것으로 알려졌다. 이는 결과적으로 TSMC가 가오슝 공장의 1.6㎚ 공정과 중부대만과학단지 공장의 1.4㎚ 공정 건설 일정을 더욱 가속화하도록 압박하는 요인이 되고 있다.
인텔이 미국 정부와 기업들의 지원을 받아 1.4㎚ 공정을 상용화할 가능성이 유력해진 가운데 TSMC와 삼성전자가 가세하며 '3파전'이 형성될 것으로 보인다. TSMC가 1.4㎚ 반도체 생산을 위해 도입하는 EUV(극자외선) 반도체 장비는 2027년까지 30대 이상에 이를 것으로 예상되고 있다. 대만 경제지인 공상시보는 "타이중 공장에서 초반부터 공격적 생산 확대를 예고한 셈"이라며 1.4㎚ 반도체 시장 수요가 이미 강력한 수준으로 파악된다고 전했다. 이와 함께 대만 가오슝 공장에도 1.4㎚ 공정 양산 채비를 갖추고 있다.
인텔도 이와 유사한 1.4㎚ 미세공정 기술을 고객사들에 선보일 계획을 가지고 있다. 미국 정부의 적극적인 지원에 따라 TSMC와 인텔은 수년 뒤부터 1.4㎚ 공정으로 고객사 수주 경쟁을 본격화할 것으로 예상되고 있다. 삼성전자도 2029년부터 1.4㎚ 미세공정 반도체를 생산하겠다는 목표로 기술 개발에 집중하고 있다.
대만 이코노믹데일리뉴스=송젠성 기자/번역=아시아경제
※이 칼럼은 아시아경제와 대만 이코노믹데일리뉴스의 전략적 제휴를 통해 게재되었음을 알립니다.
박준이 기자 giver@asiae.co.kr
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