[컨콜]SK하이닉스 "1c 나노 공정 HBM4E 적용할 것"

SK하이닉스 연합뉴스

SK하이닉스는 23일 오전 지난해 4분기 실적 발표 후 열린 설명회에서 "우수한 성능과 안정적 초기 수율 보이는 1c 나노 공정을 향후 HBM4E에 적용해 차세대 HBM 적기 개발 공급해 시장 리더십 유지하겠다"고 밝혔다.

1c 나노 제품에 관해선 "개발 단계에서 초기 양산 목표 수율 상회하고 있고 양산 확대 시 유의미한 수준의 원가절감도 가능할 것"이라며 "하반기부터 일반 D램 적용해 양산을 시작하지만, 올해 투자 상당 부분이 이미 고객 수요 확보된 HBM, 인프라 투자에 집중돼있어 향후 수요 고려해 램프 업 투자를 고려하겠다"고 설명했다. "1b 나노 우수 개발 경험을 바탕으로 지난해 하반기 1c 나노 제품 개발 완료했고 양산성을 확보했다. 1c 나노 기반 DDR5 제품은 최대 지원 속도가 이전 제품보다 28% 향상됐고 전력 효율도 9% 이상 개선됐다. AI 시대로 넘어오면서 빠른 데이터 처리 속도, 저전력 추세에 맞춰 향후 서버 수요에 최적화된 제품"이라고도 했다.

김형민 기자 khm193@asiae.co.kr