삼성전자, 12단 적층 고용량 HBM3E 첫 개발

칩 간격 업계 최소 7㎛
HBM3 대비 성능·용량 50% 향상
"고용량 HBM 시장 개척, 선도할 것"

삼성전자가 업계 처음으로 고대역폭메모리(HBM) 5세대인 HBM3E를 12단 높이로 쌓은 고용량 제품을 개발하는 데 성공했다. 신제품은 8단 HBM3E 제품 대비 사이즈는 유지하면서 용량을 늘린 제품이다. 1초에 UHD 영화 40편을 다운로드할 수 있는 성능을 갖췄다. 미국 마이크론도 이날 24GB 용량의 HBM3E 8단 제품 양산에 돌입했다고 밝히면서 세계 메모리 시장은 본격적인 5세대 HBM 경쟁에 돌입하게 됐다.

삼성전자가 개발한 36GB 용량의 12단 HBM3E 제품 / [사진제공=삼성전자]

삼성전자는 24Gb(3GB 용량) D램 칩 12개를 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H(12단 적층) 제품을 개발했다고 27일 밝혔다.

HBM은 미세구멍을 뚫은 D램 칩 여러 개를 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결해 만드는 고성능·고용량 D램이다. 그래픽처리장치(GPU)와 함께 쓰이다 보니 인공지능(AI)용 메모리라 불린다.

삼성전자는 여러 개 D램을 쌓을 때 칩 간격을 업계 최소인 7㎛(1㎛=100만분의 1m)로 구현, 12H 제품을 8H 제품과 동일 높이로 만들어 집적도를 높였다. 신제품은 초당 최대 1280GB 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공하며 성능과 용량이 모두 전작(HBM3 8H) 대비 50% 이상 개선됐다. 초당 1280GB를 처리하면 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 40여편을 다운로드할 수 있다.

삼성전자는 HBM3E 12H 제품이 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업에 도움이 될 것으로 기대한다. 서버 시스템에 HBM3E 12H를 적용하면 HBM3 8H를 탑재할 때보다 AI 학습 훈련 속도가 평균 34% 빨라질 수 있다. 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 예상된다.

삼성전자가 HBM3E 12H 개발에 성공하면서 HBM3E 시장 경쟁이 본격화될 전망이다. 마이크론은 26일(현지시간) HBM3E 8단 제품 양산 소식을 전하면서 "2분기에 엔비디아 H200 그래픽처리장치(GPU)에 탑재될 것"이라고 밝혔다. 삼성전자도 최근 12단 샘플을 고객사에 제공한 데 이어 상반기 안으로 제품을 양산할 계획이다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 "AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 요구에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 말했다.

김평화 기자 peace@asiae.co.kr