[AD]

삼성전자, 10나노 S램 공개…10나노 AP양산 앞당겨질듯

최종수정 2015.11.18 08:27 기사입력 2015.11.18 08:27

[아시아경제 김은별 기자] 삼성전자 가 내년 초 세계 최초로 10나노 핀펫(FinFET) 공정 S램을 공개한다. 10나노 S램을 개발한 만큼, 같은 공정을 적용한 모바일 애플리케이션프로세스(AP) 역시 양산이 앞당겨질 것으로 예상된다.

국제반도체회로학회(ISSCC)는 이 같은 내용을 담은 2016년도 채택 논문 초록을 17일 공개했다. ISSCC는 내년 1월 미국 샌프란시스코에서 2016년 학회를 열고, 이같은 내용을 공개할 예정이다.

S램은 D램보다 속도가 빠르며, 중앙처리장치(CPU) 캐시 메모리로 사용된다. 이번에 발표되는 10나노 S램은 128메가비트(Mb) 용량으로 과거 삼성전자가 발표한 14나노 S램(0.064㎛2) 대비 셀 면적이 37.5% 줄었다. 경쟁사인 인텔과 TSMC가 발표한 10나노대 S램은 아직 14나노, 16나노에 그치고 있다.

현재 시스템반도체 업계에서는 10나노 칩 양산을 두고 기술 경쟁을 벌이고 있다. 세계 1위 반도체기업 인텔이 2017년부터 10나노 제품 양산계획을 세워놓고 있으며, TSMC와 삼성전자도 양산 시점을 앞당기기 위해 노력 중이다. 10나노 S램 개발로 삼성전자가 양산 시점을 앞당길 경우 인텔보다도 빨리 양산화에 성공할 것으로 추정된다.

삼성전자는 업계 최초로 개발한 14나노 낸드플래시 역시 내년 학회에서 공개한다. 도시바의 15나노 공정보다 앞선 기술이다. 양산이 이뤄지면 고성능 스마트폰에 탑재되는 임베디드멀미디어카드(eMMC), 유니버설플래시스토리지(UFS) 인터페이스로 공급될 예정이다.
한편 ISSCC에 따르면, 이번 학회에는 아날로그, 데이터 컨버터, 디지털 아키텍처·시스템, 디지털 서킷, 메모리 등등 분야에서 총 596편의 논문이 제출됐고 그 중 최종 200편이 채택됐다.

국가별 채택 논문 건수는 미국(82편), 일본(24편), 한국(22편), 벨기에(12편), 대만(11편) 순이며 중국 본토 대학에서 제출한 논문 2편도 채택됐다. 업체(기관·학교)별 채택 건수는 벨기에 반도체 연구기관인 IMEC가 10편으로 가장 많았고 삼성전자가 9편(미국지사 1편 포함), 미국 인텔과 미시간대가 각각 8편으로 공동 3위를 차지했다. 한국 KAIST는 7편 논문이 채택돼 5위를 차지했다.

1954년 설립된 ISSCC는 반도체 분야 최고 권위의 학회로, '세계 반도체 올림픽'으로 불린다. 매년 3000명 이상의 반도체 전문가들이 모여 최신 성과를 발표한다. 삼성전자는 지난해 ISSCC에서도 반도체 미세화 공정을 소개하며 10나노 기술 개발을 완료했다고 밝힌 바 있다. 내년 ISSCC는 1월 31일부터 5일간 열리며, '만물인터넷을 위한 반도체 시스템'이 주제다. 논문 발표 외에도 패널 토론, 포럼, 전문가 강연 등 각종 프로그램이 진행된다.

◇용어설명
◆핀펫(FinFET)=
기존 2차원 구조인 반도체를 3차원 입체 구조로 설계해 누설 전류를 줄인 기술이다. 트랜지스터 구조가 물고기 지느러미와 비슷해 핀펫이라고 불린다.


김은별 기자 silverstar@asiae.co.kr
<ⓒ세계를 보는 창 경제를 보는 눈, 아시아경제(www.asiae.co.kr) 무단전재 배포금지>

오늘 본 뉴스

아시아경제 추천뉴스

리빙푸드