국내 연구팀 가능성 증명
[아시아경제 정종오 기자] 국내 연구팀이 1나노미터(10억분의1 미터)보다 작은 반도체를 실리콘 기판에 대면적으로 제작할 수 있음을 실험으로 밝혀냈다. 이번 연구로 1나노미터보다 작은 원자(옹스트롬) 단위에서도 실리콘 반도체를 기판 사이즈로 제작할 수 있음이 증명됐다.
옹스트롬은 100억분의 1미터에 해당하는 크기로 실리콘 원자 한 개의 사이즈에 해당된다.
1옹스트롬의 크기는 실리콘 원자 1개에 해당되고 나노미터 크기에 적용되는 현상들이 원자 크기에서도 동일하게 적용될 수 있을지는 여전히 미지수였기 때문이다.
연구팀은 실리콘 기판위에 대면적으로 서로 다른 특성을 지닌(전자 도핑 정도가 다른) 1나노미터 이하의 금속선을 반복적으로 배열하는데 성공했다. 또 반복적으로 배열된 두 종류의 금속선 중에서 한 종류의 금속선만을 선택해 대면적으로 특성을 제어할 수 있음을 실험으로 밝혔다.
이번 실험적 증명이 현재 양산되고 있는 반도체에 직접 사용되는 실리콘 기판위에서 수행됐다는 점에서 더 큰 의미가 있다.
성균관대 안종렬 교수(교신저자)와 송인경 박사(제1저자)가 주도한 이번 연구는 교육부와 한국연구재단이 추진하는 일반연구자지원사업(기본연구)의 지원으로 수행됐다. 연구결과는 나노 레터스(Nano Letters) 1월 15일자(논문명 : Direct momentum-resolved observation of one-dimensional confinement of externally doped electrons within a single subnanometre-scale wire)에 실렸다.
안종렬 교수는 "이번 연구결과를 통해 대면적 실리콘 반도체 제작이 1나노미터를 넘어 그 이하 단계인 원자 수준에서도 실현될 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다.
정종오 기자 ikokid@asiae.co.kr
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